类型
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描述
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全选
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类别
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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包装
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托盘
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产品状态
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在售
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IGBT 类型
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沟槽型场截止
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配置
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半桥
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电压 - 集射极击穿(值)
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1200 V
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电流 - 集电极 (Ic)(值)
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580 A
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功率 - 值
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2000 W
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值)
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2.15V @ 15V,400A
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电流 - 集电极截止(值)
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5 mA
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不同 Vce 时输入电容 (Cies)
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28 nF @ 25 V
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输入
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标准
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NTC 热敏电阻
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无
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工作温度
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-40°C ~ 125°C(TJ)
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安装类型
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底座安装
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封装/外壳
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模块
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供应商器件封装
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模块
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基本产品编号
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属性 | 描述 |
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RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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